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一種以矽單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，由於它特性類似於真空閘流管，所以國際上通稱為矽晶體閘流管，簡稱可控矽T。又由於可控矽最初應用於可控整流方麵所以又稱為矽可控整流元件，簡稱為可控矽SCR。

 

在性能上，可控矽不僅具有單向導電性，而且還具有比矽整流元件（俗稱“死矽”）更為可貴的可控性。它隻有導通和關斷兩種狀態。

可控矽能以毫安級電流控製大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件午夜成人网址損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

 

可控矽的優點：

1.以小功率控製大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；

2.反應極快，在微秒級內開通、關斷；

3.無觸點運行，無火花、無噪音；

4.效率高，成本低等等。

 

可控矽從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

 

可控矽元件的結構：

不管可控矽的外形如何，它們的管芯都是由P型矽和N型矽組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控製極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。

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